FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
贸泽:
MOSFET N-Channel PwrTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
FDD3682 系列 100 V 36 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; TO252AA
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3682 MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.25 nF
栅电荷 18.5 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 1250pF @25VVds
额定功率Max 95 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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