FDD3682

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FDD3682概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。


欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。


贸泽:
MOSFET N-Channel PwrTrench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
FDD3682 系列 100 V 36 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; TO252AA


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK


FDD3682中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 32.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 95 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.25 nF

栅电荷 18.5 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 1250pF @25VVds

额定功率Max 95 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD3682
型号: FDD3682
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
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