FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8026S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.6 V
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8026S, 76 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8026S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.6 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 33 EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 33 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 33 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 33 EP T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 3165pF @15VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 36W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 MLP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15