FQP9N30

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FQP9N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 9.00 A

通道数 1

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 98 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

额定功率Max 98 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 98W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP9N30
型号: FQP9N30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET
替代型号FQP9N30
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP9N30

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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STP12NK30Z

意法半导体

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FQP9N30和STP12NK30Z的区别

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