FQP27P06概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V
仙童公司的是一个通孔安装的-60V P通道 QFET MOSFET, TO-220封装. 此设备具有平面条形带和DMOS技术, 经量身设计可最小化通导电阻并提供卓越的转换性能以及高雪崩能量强度. 产品适合转换模式电源, 音频放大器, 直流电机控制和可变转换电源应用.
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- 典型低反向传输电容: 120pF
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- 典型低栅极电荷: 33nC
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- 漏极至源极电压: -60V
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- 栅-源电压: ±25V
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- 持续漏电流ld: -27A
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- 功率耗散: 120mW
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- 55ohm低通导电阻:, Vgs -10V
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- 工作温度范围: -55°C至175°C
FQP27P06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -27.0 A
额定功率 120 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 120 W
输入电容 1.10 nF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -27.0 A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQP27P06
型号： FQP27P06
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V