FDD6N50FTM中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 89 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 5.5A
上升时间 28.3 ns
输入电容Ciss 960pF @25VVds
额定功率Max 89 W
下降时间 20.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDD6N50FTM
型号： FDD6N50FTM
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD6N50FTM
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6N50FTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6N50FTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6N50FTM和FDD6N50FTF的区别 |