FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
N-Channel 60 V 7A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 28.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.11 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1107pF @30VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS5690 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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