FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4501H 场效应管, MOSFET, 9.3A, 30V, SOIC
Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SOIC
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
欧时:
### PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4501H 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9.3 A, 30 V, 14 mohm, 10 V, 1.6 V
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS4501H 系列 30V 18 mOhm 互补 PowerTrench 半桥 Mosfet SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4501H Dual MOSFET, N and P Channel, 9.3 A, 30 V, 14 mohm, 10 V, 1.6 V
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC
额定电流 9.30 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 1.31 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30V, 20V
连续漏极电流Ids 5.60 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 1958pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDS4501H Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4501H_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS4501H和FDS4501H_NL的区别 |