FDS4501H

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FDS4501H概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4501H  场效应管, MOSFET, 9.3A, 30V, SOIC

Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SOIC


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
### PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4501H  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9.3 A, 30 V, 14 mohm, 10 V, 1.6 V


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS4501H 系列 30V 18 mOhm 互补 PowerTrench 半桥 Mosfet SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4501H  Dual MOSFET, N and P Channel, 9.3 A, 30 V, 14 mohm, 10 V, 1.6 V


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC


FDS4501H中文资料参数规格
技术参数

额定电流 9.30 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 14 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 1.31 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 30V, 20V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 1958pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS4501H
型号: FDS4501H
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4501H  场效应管, MOSFET, 9.3A, 30V, SOIC
替代型号FDS4501H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS4501H

Fairchild 飞兆/仙童

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FDS4501H_NL

飞兆/仙童

功能相似

FDS4501H和FDS4501H_NL的区别

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