N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A
N-Channel 30 V 18A Ta, 116A Tc 110W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 116 A
漏源极电阻 5.10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
输入电容 2.99 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 116 A
上升时间 96 ns
输入电容Ciss 2990pF @15VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99