FDS4675

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FDS4675概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V

汽车 P 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。


欧时:
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4675, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings 4.5V - 20V.


富昌:
FDS4675 系列 40 V 13 mOhm P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  MOSFET Transistor, P Channel, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V


Win Source:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC


FDS4675中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -11.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.4 W

输入电容 4.35 nF

栅电荷 40.0 nC

漏源极电压Vds 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -11.0 A

上升时间 29.0 ns

输入电容Ciss 4350pF @20VVds

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS4675
型号: FDS4675
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V
替代型号FDS4675
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FDS4675

Fairchild 飞兆/仙童

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