FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4675 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V
汽车 P 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
欧时:
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4675, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings 4.5V - 20V.
富昌:
FDS4675 系列 40 V 13 mOhm P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4675 MOSFET Transistor, P Channel, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V
Win Source:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -11.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.4 W
输入电容 4.35 nF
栅电荷 40.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -11.0 A
上升时间 29.0 ns
输入电容Ciss 4350pF @20VVds
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS4675 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4675_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4675和FDS4675_F085的区别 |
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FDS4675_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS4675和FDS4675_NL的区别 |