FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4141 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -1.6 V
The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary PowerTrench® technology to deliver low RDS ON and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the applications and optimized switching performance capability reducing power dissipation losses in converter/inverter applications.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
针脚数 8
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 10.8A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 2670pF @20VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS4141 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4141_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4141和FDS4141_F085的区别 |
AO4485 万代半导体 | 功能相似 | FDS4141和AO4485的区别 |