FQB4N50TM

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FQB4N50TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.40 A

漏源极电阻 2.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

输入电容Ciss 460pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB4N50TM
型号: FQB4N50TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 3.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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