UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 220V 1A Ta, 7A Tc 2.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET LOW VOLTAGE
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R
富昌:
FDMC2674 系列 220 V 366 mOhm N 沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power33
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC2674 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 220 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
DeviceMart:
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
额定电压DC 220 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 0.305 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3.4 V
输入电容 1.18 nF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 220 V
漏源击穿电压 220 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1180pF @100VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99