FDMC2674

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FDMC2674概述

UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 220V 1A Ta, 7A Tc 2.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET LOW VOLTAGE


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R


富昌:
FDMC2674 系列 220 V 366 mOhm N 沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power33


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin MLP EP T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC2674  MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 220 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP


DeviceMart:
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP


FDMC2674中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 220 V

额定电流 1.00 A

漏源极电阻 0.305 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 3.4 V

输入电容 1.18 nF

栅电荷 18.0 nC

漏源极电压Vds 220 V

漏源击穿电压 220 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1180pF @100VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.95 mm

封装 Power-33-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMC2674
型号: FDMC2674
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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