FQB50N06TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQB50N06TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 50.0 A

通道数 1

漏源极电阻 22 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 1540pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB50N06TM

型号： FQB50N06TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FQB50N06TM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQB50N06TM Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQB50N06LTM 飞兆/仙童	类似代替	FQB50N06TM和FQB50N06LTM的区别
STB55NF06T4 意法半导体	功能相似	FQB50N06TM和STB55NF06T4的区别
PSMN004-60B,118 恩智浦	功能相似	FQB50N06TM和PSMN004-60B,118的区别