FQPF33N10L

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FQPF33N10L概述

QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 100V 18A Tc 41W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


富昌:
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F


FQPF33N10L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 52.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 41 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 470 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 41 W

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF33N10L
型号: FQPF33N10L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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