FDMS86520L参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDMS86520L概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A， Semiconductor

### MOSFET ，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS86520L中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13.5A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 4615pF @30VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS86520L

型号： FDMS86520L

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V

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