FDS6993概述
双P沟道PowerTrench MOSFET Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V, 12V 4.3A, 6.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC
得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
2个P沟道 30V 12V 4.3A 6.8A
贸泽:
MOSFET Dual PCh PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V/12V 4.3A/6.8A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6993中文资料参数规格
技术参数
额定电流 -4.30 A
漏源极电阻 55.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 2.98 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 30V, 12V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 20.0 ns
输入电容Ciss 530pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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