UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switching mode power supplies and active power factor correction.
Features
• RDSon = 1.47Ω Typ.@ VGS = 10V, ID = 1.85A
• Low Gate Charge Typ. 9nC
• Low Crss Typ. 4pF
• Fast Switching
• 100% Avalanche Tested
• Improved dv/dt Capability
• ESD Imoroved Capability
• RoHS Compliant
极性 N-CH
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 3.7A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 485pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free