FQI5N60CTU概述
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3Pin3+Tab I2PAK Tube
N-Channel 600 V 4.5A Tc 3.13W Ta, 100W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
贸泽:
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQI5N60CTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 2.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.9 mm
宽度 4.83 mm
高度 11.05 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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