FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC510P 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -18A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.012Ω/Ohm @1.2A,4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--0.1 耗散功率PdPower Dissipation| 41W Description & Applications| 描述与应用|
贸泽:
MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC510P 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin MLP EP T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC510P MOSFET Transistor, P Channel, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
针脚数 8
漏源极电阻 0.0064 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 41 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 7860pF @10VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDMC510P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7123DN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDMC510P和SI7123DN-T1-GE3的区别 |