FDD8870

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FDD8870概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8870  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0032Ω, 160A, TO-252AA-3

N-Channel 30V 21A Ta, 160A Tc 160W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


富昌:
FDD8870 系列 30 V 4.4 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8870  MOSFET Transistor, N Channel, 160 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK


FDD8870中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 160 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 1.2 V

输入电容 5.16 nF

栅电荷 91.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 160 A

上升时间 83 ns

输入电容Ciss 5160pF @15VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD8870
型号: FDD8870
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8870  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0032Ω, 160A, TO-252AA-3
替代型号FDD8870
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD8870

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

STD17NF03LT4

意法半导体

功能相似

FDD8870和STD17NF03LT4的区别

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