FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8870 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0032Ω, 160A, TO-252AA-3
N-Channel 30V 21A Ta, 160A Tc 160W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
富昌:
FDD8870 系列 30 V 4.4 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8870 MOSFET Transistor, N Channel, 160 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 160 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 5.16 nF
栅电荷 91.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 160 A
上升时间 83 ns
输入电容Ciss 5160pF @15VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD8870 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD17NF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD8870和STD17NF03LT4的区别 |