FDS5680

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FDS5680概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5680  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel Logic Level MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
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30nC Typical low gate charge
FDS5680中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 8.00 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 1.85 nF

栅电荷 30.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1850pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS5680
型号: FDS5680
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5680  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 V
替代型号FDS5680
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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