FQPF4P40

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FQPF4P40中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -400 V

额定电流 -2.40 A

通道数 1

漏源极电阻 3.1 Ω

极性 P-CH

耗散功率 39 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 680pF @25VVds

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 39W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQPF4P40
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:400V P沟道MOSFET 400V P-Channel MOSFET

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