FQU3P20TU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQU3P20TU概述

P沟道 200V 2.4A

P-Channel 200 V 2.4A Tc 2.5W Ta, 37W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK

立创商城:
P沟道 200V 2.4A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 2.4A 3-Pin3+Tab IPAK Rail

FQU3P20TU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -2.40 A

极性 P-CH

耗散功率 2.5W Ta, 37W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQU3P20TU

型号： FQU3P20TU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：P沟道 200V 2.4A