PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
General Description
This P-Channel MOSFET has been produced using Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDSonand optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. and optimized switching performance capability reducing power dissipation losses in converter/inverter applications.
Features
Max rDSon= 12.3mΩat VGS= -10V, ID= -12.7A
Max rDSon= 18.0mΩat VGS= -4.5V, ID= -10.4A
High performance trench technology for extremely low rDSon
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
通道数 1
漏源极电阻 12.3 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.4 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 10.8A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 2775pF @20VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD4141_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD4141 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD4141_F085和FDD4141的区别 |