FQPF2N80参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF2N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 1.50 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF2N80

型号： FQPF2N80

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF2N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 6.3 ohm, 10 V, 5 V

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替代型号FQPF2N80

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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