FCD900N60Z中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 5.3 ns
输入电容Ciss 720pF @25VVds
额定功率Max 52 W
下降时间 11.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FCD900N60Z
型号： FCD900N60Z
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。