FQB6N40CTM

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FQB6N40CTM概述

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 400 V 6A Tc 73W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-CH/400V/6A/CFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FQB6N40C 系列 400 V 1 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK


FQB6N40CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 830 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 73 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 625pF @25VVds

额定功率Max 73 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB6N40CTM
型号: FQB6N40CTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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