N沟道 900V 2.2A
N-Channel 900 V 2.2A Tc 3.13W Ta, 85W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
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N沟道 900V 2.2A
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MOSFET 900V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 900 V
额定电流 2.20 A
通道数 1
漏源极电阻 7.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 85W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI2N90TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFBF20LPBF Vishay Siliconix | 功能相似 | FQI2N90TU和IRFBF20LPBF的区别 |
IRFBF20L Vishay Siliconix | 功能相似 | FQI2N90TU和IRFBF20L的区别 |
FQI2N90 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQI2N90TU和FQI2N90的区别 |