FCP4N60

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FCP4N60概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP4N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

The is a 600V N-channel SuperFET® MOSFET, high voltage super-junction SJ MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Ultra low gate charge
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Low effective output capacitance
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100% Avalanche tested
FCP4N60中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCP4N60
型号: FCP4N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP4N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

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