FDB2572

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FDB2572概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 150V 4A Ta, 29A Tc 135W Tc Surface Mount D²PAK


得捷:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET N-Channel UltraFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FDB2572 系列 150 V 0.075 Ohms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; TO263AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB


FDB2572中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 29.0 A

漏源极电阻 54.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

输入电容 1.77 nF

栅电荷 26.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 29.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1770pF @25VVds

额定功率Max 135 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 135 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB2572
型号: FDB2572
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDB2572
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB2572

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STD18N55M5

意法半导体

功能相似

FDB2572和STD18N55M5的区别

NTB35N15T4G

安森美

功能相似

FDB2572和NTB35N15T4G的区别

STD6N95K5

意法半导体

功能相似

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