PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 150V 4A Ta, 29A Tc 135W Tc Surface Mount D²PAK
得捷:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET N-Channel UltraFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB2572 系列 150 V 0.075 Ohms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; TO263AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
额定电压DC 150 V
额定电流 29.0 A
漏源极电阻 54.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
输入电容 1.77 nF
栅电荷 26.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 29.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDB2572 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FDB2572和STD18N55M5的区别 |
NTB35N15T4G 安森美 | 功能相似 | FDB2572和NTB35N15T4G的区别 |
STD6N95K5 意法半导体 | 功能相似 | FDB2572和STD6N95K5的区别 |