FDMS7660

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FDMS7660中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 5565pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS7660
型号: FDMS7660
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMS7660
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMS7660

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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