30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 50A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0136Ω/Ohm @1.2A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 60W Description & Applications| 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDSON specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive even at very high frequencies, and DC/DC • 4.7 A, 150 V. DSON= 80 mΩ @ VGS = 10 V RDSON = 90 mΩ @ VGS = 6 V • Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • High power and current handling capability. 描述与应用| 150V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 这N沟道MOSFET的设计 专门用于提高整体效率的DC / DC 转换器采用同步或常规 开关PWM控制器。 这些MOSFET具有更快的开关和更低 比其他具有可比性的MOSFET栅极电荷 RDS(ON)规格。 其结果是一个MOSFET,很容易和更安全的驾驶 (即使在非常高的频率),和DC / DC •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •高功率和电流处理能力
通道数 1
漏源极电阻 14.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 56W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD6030L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8882 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6030L和FDD8882的区别 |