FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
The is an UltraFET Trench N-channel MOSFET optimized efficiency at high frequencies. It can be suitable for synchronous rectification, DC-to-DC converters and off-line UPS applications.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 100 V
额定电流 44.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 mW
阈值电压 4 V
输入电容 1.71 nF
栅电荷 24.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 59.0 ns
输入电容Ciss 1710pF @25VVds
额定功率Max 135 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 5.59 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD3672 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD3682 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD3672和FDD3682的区别 |
FDD3670 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD3672和FDD3670的区别 |
FDD3860 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD3672和FDD3860的区别 |