FDD8770

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FDD8770中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3720pF @13VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD8770
型号: FDD8770
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8770  晶体管, N沟道
替代型号FDD8770
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD8770

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP55NF06

意法半导体

功能相似

FDD8770和STP55NF06的区别

STP80NF10

意法半导体

功能相似

FDD8770和STP80NF10的区别

STD18N55M5

意法半导体

功能相似

FDD8770和STD18N55M5的区别

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