FQI17P06TU

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FQI17P06TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -17.0 A

漏源极电阻 120 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 79W Tc

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 60 ns

耗散功率Max 3.75W Ta, 79W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQI17P06TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

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