800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
N-Channel 800 V 5.8A Tc 158W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
立创商城:
FQP6N80
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC 800 V
额定电流 5.80 A
漏源极电阻 1.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 158 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 158 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 158W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP6N80 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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