FQB4P25TM

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FQB4P25TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -4.00 A

漏源极电阻 1.63 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 420pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQB4P25TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 250V 4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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