FQU3N40TU

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FQU3N40TU概述

N沟道 400V 2A

N-Channel 400V 2A Tc 2.5W Ta, 30W Tc Through Hole I-PAK


立创商城:
N沟道 400V 2A


得捷:
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK


FQU3N40TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 2.00 A

漏源极电阻 3.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQU3N40TU
型号: FQU3N40TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 400V 2A
替代型号FQU3N40TU
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