FDS6673BZ_F085参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FDS6673BZ_F085中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14.5A

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDS6673BZ_F085

型号： FDS6673BZ_F085

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8Pin SOIC N T/R

替代型号FDS6673BZ_F085

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