FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2582 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.058 ohm, 10 V, 4 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in high voltage synchronous rectification, electronic valve train system, DC-to-DC converters and off-line UPS application.
- .
- Low miller charge
- .
- Low Qrr body diode
- .
- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
- .
- AEC-Q101 Qualified
额定电压DC 150 V
额定电流 21.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.29 nF
栅电荷 19.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1295pF @25VVds
额定功率Max 95 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99