FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8638 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.9 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advance PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 5680pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15