N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
N-Channel 30V 15A Ta, 73A Tc 70W Tc Through Hole I-PAK
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N沟道 30V 73A 15A
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MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
贸泽:
MOSFET 30V 73A 8.2 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
N-Channel PowerTrench MOSFET
额定电压DC 30.0 V
额定电流 116 A
通道数 1
漏源极电阻 8.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
输入电容 1.70 nF
栅电荷 34.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 73.0 A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 1700pF @15VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDU8876 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL9N308AD3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDU8876和ISL9N308AD3的区别 |
FDU8876_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDU8876和FDU8876_NL的区别 |