FQP7N80参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP7N80概述

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

N-Channel 800V 6.6A Tc 167W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

立创商城:
N沟道 800V 6.6A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

FQP7N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 6.60 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.60 A

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 167 W

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP7N80

型号： FQP7N80

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

替代型号FQP7N80