FDD3672_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 144 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 44A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 1635pF @25VVds
额定功率Max 144 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 144W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDD3672_F085
型号： FDD3672_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。