FDS6911

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FDS6911中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 7.50 A

通道数 2

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 1.13 nF

栅电荷 24.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1130pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6911
型号: FDS6911
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8
替代型号FDS6911
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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