FDS86267P参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS86267P概述

Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8Pin SOIC T/R

P-Channel 150V 2.2A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOP

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

艾睿:
MOSFET PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet

Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R

FDS86267P中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2500 mW

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 1130pF @75VVds

下降时间 5.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买FDS86267P

型号： FDS86267P

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8Pin SOIC T/R