FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3.1 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
针脚数 8
漏源极电阻 0.0194 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 965pF @50VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMC86102 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSZ160N10NS3 G 英飞凌 | 功能相似 | FDMC86102和BSZ160N10NS3 G的区别 |