30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30 V 14A Ta, 56A Tc 2.8W Ta, 60W Tc Through Hole I-PAK
立创商城:
N沟道 30V 56A 14A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 56.0 A
通道数 1
漏源极电阻 9.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
输入电容 1.42 nF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1425pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDU7030BL Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDU8880 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDU7030BL和FDU8880的区别 |
ISL9N310AD3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDU7030BL和ISL9N310AD3的区别 |