FQB5N60TM概述
N沟道 600V 5A
N-Channel 600 V 5A Tc 3.13W Ta, 120W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
立创商城:
N沟道 600V 5A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
贸泽:
MOSFET 600V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
FQB5N60TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 2.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 730pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 120W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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