FDB3682

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FDB3682中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 32.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 95 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.25 nF

栅电荷 18.5 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 1250pF @25VVds

额定功率Max 95 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB3682
型号: FDB3682
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FDB3682
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB3682

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STB30NF10T4

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